規格書：AO3402

http://aosmd.com/res/data_sheets/AO3402.pdf

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 4A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 55 毫歐 @ 4A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 4.34nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 390pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23-3L

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

一般說明:AO3402

AO3402采用先進的溝槽技術

出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極操作

電壓低至2.5V。該設備適合用作

負載開關或PWM應用。

產品摘要:AO3402

VDS 30V

ID（VGS = 10V）4A

RDS（ON）（VGS = 10V）<52mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<65mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<85mΩ

型號：AO3402

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環境中。該

任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結至環境熱阻。

C.重復額定值，脈沖寬度受結溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結到引線RθJL的熱阻抗與導致環境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態特性。

F.這些曲線基于結到環境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設最高結溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

該產品已為消費者市場設計和認證。申請或使用作為關鍵

生命支持設備或系統中的組件未經授權。 AOS不承擔任何引起的責任

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