規格 AO8810

FET類型2 N溝道（雙）共漏

FET功能邏輯電平門

漏源電壓（VDSS）20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C時）7A

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）20毫歐@ 7A，4.5V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）1.1V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）14nC @ 4.5V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）1295pF @ 10V

功率 - 最大值1.5W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼8-TSSOP（0.173“，4.40mm寬）

一般說明

AO8810采用先進的溝槽技術提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷。它受到ESD保護。

該器件適合用作單向或雙向

負載開關，由其共漏極促進

組態。

產品摘要

AO8810

VDS 20V

ID（VGS = 4.5V）7A

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<20mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.0V）<20.5mΩ

RDS（ON）（VGS = 3.1V）<21.5mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<23mΩ

RDS（ON）（VGS = 1.8V）<28mΩ

ESD保護

AO8810

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環境中。該

任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結至環境熱阻。

C.重復額定值，脈沖寬度受結溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結到引線RθJL的熱阻抗與導致環境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態特性。

F.這些曲線基于結至環境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設最高結溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。