IRLML6402TRPBF SOT-23 MOS場效應管
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IRLML6402TRPBF SOT-23 MOS場效應管

IRLML6402TRPBF-SOT-23-MOS場效應管

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聯(lián)系人 陳生

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商品介紹
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品牌 IR/國際整流器
型號 IRLML6402TRPBF
導電方式 增強型
溝道類型 P溝道
封裝 SMD(SO)/表面封裝
材料 GE-P-FET鍺P溝道
用途 L/功率放大
種類 絕緣柵(MOSFET)
數(shù)量 36000
商品介紹

貼片 IRLML6402TRPBF P溝道 20V/2.2A SOT-23 MOS管 場效應管

場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應管通過投影P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

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產品詳情

 

SOT-23，起訂量100pcs 

 

貼片 IRLML6402TRPBF P溝道 20V/2.2A SOT-23 MOS管 場效應管

 

 The IRLML6402PBF from International Rectifier is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.

  • Drain to source voltage (Vds) of -20V
  • Gate to source voltage of ±12V
  • On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
  • Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
  • Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

 

實物拍攝

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



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公司名稱 深圳市華永利電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 陳生 （QQ：2850879919）
電話 莵莽莻莻-莶莾莹莻莻莺莽莼
手機 莸莻莼莸获莸莼莵莽莶莼
傳真 莵莽莻莻-莶莾莹莻莼莺莺莽
地址 廣東省深圳市