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鉭電容貼片鉭電容封裝-風華高科-鉭電容貼片鉭電容
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很多客戶買到貼片電容回去測試以后發現貼片電容的容值就有偏低的現象,這時可能會會認為我們存在欺騙買家的行為,其實不是的。下面我們來分析一下貼片電容的容值為什么會偏低?導致貼片電容偏低的因素有什么?下面我們一起來分析一下。
1. 測試條件對測量結果的影響
對于貼片電容偏低的我們可以考慮一下測試條件對貼片電容容值的影響。對于不同容值的貼片電容需要采用不同的測試條件來測量容值,主要在測試電壓的設定和測試頻率的設定上有區別,貼片電容不同容值的測試條件為:
電容AC電壓頻率
容量>10uF 1.0±0.2Vrms 120Hz
1000pF<容量≤10uF 1.0±0.2Vrms 1KHz
容量≤1000pF 1.0±0.2Vrms 1MHz
2. 測量儀器的差異對測量結果的影響
大容量的電容(指1uF以上的容值)測量時更容易出現容值偏低的現象,造成這種現象的主要原因是施加在電壓兩端的實際電壓不能達到測試條件所需求的電壓,這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內部阻抗分壓的原因與實際顯示的設定電壓不一致。為了使測量結果誤差降,我們建議將儀器調校并盡量把儀器的設定電壓跟實際加在電容兩端所測的電壓盡量調整,使實際于待測電容上輸出的電壓一致。
當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態,容量〉0.1uf時,主要取決于介質的性能,絕緣電阻越大越好。
電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
損耗電容在電場作用下,在單位時間內因發熱所消耗的能量叫做損耗。
各類電容都規定了其在某頻率范圍內的損耗允許值,電容的損耗主要由介質損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下。
電容的損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的極化建立過程有關。
頻率特性隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現下降的規律。
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電容器的充放電特性
利用電容器的充放電特性來實現控制時間的目的。時間的長短由R3,RP及C來確定。
當開頭S閉合時,電源通過R3,RP向C充電。當C上的電壓達到一定幅值時,VT1導通,C上的電荷經VT1,E,B1端和R2放電。
觸發晶閘管VT2導通,繼電器K得電工作,其觸點將控制被電路工作。
計時:電容器電容器與電阻器配合使用,確定電路的時間常數。
調諧:對與頻率相關的電路進行系統調諧,比如手機、收音機、電視機。
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