H9HCNNNCPUMLHR-NMN 供應SKhynix原裝LPDDR4
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H9HCNNNCPUMLHR-NMN-供應SKhynix原裝LPDDR4

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型號 H9HCNNNCPUMLHR-NMN
品牌 SK hynix
封裝 FBGA
類型 LPDDR4
包裝 托盤
安裝類型 表面貼裝
數量 11200
商品介紹




H9HCNNNCPUMLHR-NMN SK Hynix (海力士)LPDDR4  原廠原裝



生產商:SK Hynix

規格型號:H9HCNNNCPUMLHR-NMN

英文名稱:Low Power DDR4

中文名稱:四代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器

存儲格式:DRAM

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:FBGA-

原廠包裝:托盤

零件狀態:批量生產

產品用途:LPDDR可以說是全球范圍內最廣泛使用于移動設備的“工作記憶”內存。Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR SDRAM的一種,又稱為 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美國JEDEC固態技術協會(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內存而制定的通信標準,以低功耗和小體積著稱,專門用于移動式電子產品。我司供應的產品包含SAMSUNG(三星電子)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產品。



LPDDR4的性能


由于輸入/輸出接口數據傳輸速度最高可達3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的兩倍,新推出的8Gb LPDDR4內存可以支持超高清影像的拍攝和播放,并能持續拍攝2000萬像素的高清照片。與LPDDR3內存芯片相比,LPDDR4的運行電壓降為1.1伏,堪稱適用于大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網絡系統的最低功耗存儲解決方案。以2GB內存封裝為例,比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB內存封裝,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升,最大可節省40%的耗電量。同時,新產品的輸入/輸出信號傳輸采用三星獨有的低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic),不僅進一步降低了LPDDR4芯片的耗電量,并使芯片能在低電壓下進行高頻率運轉,實現了電源使用效率的最優化。




價格說明

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公司名稱 深圳記憶半導體有限公司
聯系賣家 李小姐 (QQ:1040180147)
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地址 廣東省深圳市