深圳市安富世紀電子有限公司
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BU406-TO-220
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BU406 BU406 BU406 BU406
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 200 V
集電極—基極電壓 VCBO: 400 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V
集電極—射極飽和電壓: 1 V
最大直流電集電極電流: 7 A
增益帶寬產品fT: 10 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BU406
高度: 9.4 mm (Max)
長度: 10.1 mm (Max)
封裝: Bulk
寬度: 4.7 mm (Max)
商標: ON Semiconductor / Fairchild
集電極連續電流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 1200
子類別: Transistors
零件號別名: BU406_NL
單位重量: 1.800 g
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 200 V
集電極—基極電壓 VCBO: 400 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V
集電極—射極飽和電壓: 1 V
最大直流電集電極電流: 7 A
增益帶寬產品fT: 10 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BU406
高度: 9.4 mm (Max)
長度: 10.1 mm (Max)
封裝: Bulk
寬度: 4.7 mm (Max)
商標: ON Semiconductor / Fairchild
集電極連續電流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 1200
子類別: Transistors
零件號別名: BU406_NL
單位重量: 1.800 g