產品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產品種類:NOR閃存安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8系列:M25PE10存儲容量:1 Mbit最大時鐘頻率:75 MHz接口類型:SPI組織:128 k x 8定時類型:Synchronous數據總線寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:12 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel存儲類型:NOR 速度:75 MHz 商標:Micron 產品類型:NOR Flash 標準:Not Supported 工廠包裝數量:2500 子類別:Memory & Data StorageNAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后(例如負電荷)，就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如圖2.2所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵極的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極 NOR閃存  ，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓， NOR閃存  強使第一浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。

EEPROM單元結構閃存的基本單元電路與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加正電壓，使電子進入第一級浮空柵。 NOR閃存  讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與漏極之間的隧道效應，將注入到浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除