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IGBT的驅動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

液晶顯示驅動之靜態驅動法介紹

靜態數據驅動器法是取得好顯示信息品質的基礎的方式。它適用筆段型液晶顯示屏元器件的驅動器。表一示出該類液晶顯示屏元器件的電級構造，當多名數字組合時，諸位的背電級BP是聯接在一起的。

震蕩器的差分信號經分音器后立即釋放在液晶顯示屏元器件的背電級BP上，而段電級的差分信號是由顯示信息挑選數據信號A與時序單脈沖根據邏輯性異或生成造成，當一位顯示信息清晰度被顯示信息挑選時，A=1,該顯示信息清晰度上兩電級的單脈沖工作電壓位置相距180.,在顯示信息清晰度上造成2V的工作電壓脈沖序列，使該顯示信息清晰度展現顯示信息特點；當一位顯示信息清晰度為非顯示信息挑選時，A=0,該顯示信息清晰度上兩電級的單脈沖工作電壓位置同樣，在顯示信息清晰度上生成工作電壓單脈沖為0V,進而完成無法顯示的實際效果。這就是靜態數據驅動器法。以便提升顯示信息的飽和度，適度地調節單脈沖的工作電壓就可以。

電流線性LED驅動Ic

LED 電流可通過專用引腳上的高奧姆電阻輕松調整，IC 供電電壓范圍介于 6 V 至 42 V 之間。具備智能型過熱控制電路設計，可在溫度上升時保持恒定電流，提供安全可靠的運作效能，并延長 LED 系統壽命。此外，驅動器只會在接面溫度變得很高時降低 LED 電流。BCR431U 擁有可低達 1% 等級的調光亮度，對多種 LED 燈條設計極具吸引力。

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