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電光調制器選擇需要注意什么？

1、串聯方式的選擇對功率損耗量影響較大，通常采用n級晶體串聯的方式來降低，此外，為了使n級晶體電光效應逐步提高，應將晶體的x軸與y軸方向旋轉90°進行安置，同時，不應串聯過多快晶體，避免電容過大。

2、電光調制器輸出特性與外加電壓的關系式非線性的，加入電光調制器工作于非線性部分，那么調制光將發生畸變，只有確保高次諧波幅值在允許范圍內，才能避免畸變。實際設計中，秩序帶入電光調制器半波電壓以及調制率的范圍，就可驗證調制電壓峰-峰值是否符合設計要求。

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電光調制器系列

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850nm電光強度調制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調制器采用先進的質子交換工藝，具有低插入損耗、高調制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統、銫原子時間基準、脈沖發生器等領域。

1064nm雙M-Z串聯強度調制器     

LiNbO3強度調制器具有良好的電光效應，廣泛應用于高速光通信系統、激光傳感和ROF系統中。基于MZ推拉結構和X切設計的KG-AM系列具有穩定的理化性能，可應用于實驗室實驗和工業系統。

高消光比電光強度調制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調制器基于M-Z推挽結構，具有較低的半波電壓和穩定的物理化學特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應速率，因而被廣泛的應用于光脈沖發生器、激光雷達、光纖傳感等領域。

電光調制器的應用

在電通信系統中,原始率數字信號電平的峰-峰值只有0.8V。因為數據率大于2.5Gb/s的鈮酸鋰調制器的半波電壓(Vp)較高，故都需要用驅動器來推動調制器。驅動器不僅要有很寬的工作頻帶，并且要能提供足夠大的微波輸出功率。例如：對于10Gb/s、Vp=5.5V的調制器，需要驅動器具有75KHz 到8GHz的工作頻帶及20dBm(100mW)的1dB輸出功率。制作率的驅動器是非常困難的，因此制作具有低Vp的調制器是很受歡迎的。

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