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制備氮化硅陶瓷制品的工藝流程一般由原料處理、粉體合成、粉料處理、成形、生坯處理，燒結和陶瓷體處理等環節組成。

氮化硅陶瓷制備工藝的類型主要是按合成、成型和燒結的不同方法和次序區分的。

陶瓷常用的成型方法有干壓、流延以及注射，其中干壓成型是應用廣泛的一種成型工藝，也是手機陶瓷背板主流的成型工藝之一，小米MIX系列的陶瓷后蓋都是干壓成型的。今天，我們來詳細了解一下陶瓷干壓成型工藝。

氮化硅結合碳化硅磚是指用SiC和Si為原料，經氮化燒成的耐火制品。其特點是以Si3N4為結合劑。Si3N4以針狀或纖維狀結晶存在于SiC晶粒之間，是一種重要的新型耐火材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具有良好抗腐蝕能力，1400℃抗折強度達50～55MPa，顯氣孔率15%。熱膨脹系數(4.5～5.0)×10-2℃-1。采用高溫燒成法制備。主要用于高爐風口、鋁電解槽內襯等。

氣壓燒結法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規模生產。