IG的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IG導通。
反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IG關斷。IG的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IG在高電壓時，也具有低的通態電壓。
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IG是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。
它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

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若在IG的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IG的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IG與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。
IG是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IG就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IG不用機械按鈕，它是由計算機控制的

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有了IG這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IG，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。
IG模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IG也指IG模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IG是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航tian、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。