上海標卓科學儀器有限公司
BZ-SIMI2939半導體分立器件測試儀
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BZ-SIMI2939半導體分立器件測試儀(升級型號CS2935)
測試參數
1. 二極管
VF、IR、BVR
2. 穩壓(齊納)二極管
VF、IR、BV Z
3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4. 可控硅整流器(晶閘管)
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5. 場效應管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6. 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7.三端穩壓器
VO、SV、ID、IDV
可測封裝(TO-247,TO-220,TO-92,TO-39,14腳以下DIP)
測試參數范圍
晶體管
測試參數 | 測試范圍 |
ICEO ICES ICBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IEBO | 10uA-100uA 100uA-1mA 1mA-10mA 10mA-100mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1-99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 10V-30V 30V-1499V |
二極管
測試參數 | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-30V |
30V-1499V |
穩壓二極管
測試參數 | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-30V |
三端穩壓器
測試參數 | 測試范圍 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-1 |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
測試參數 | 測試范圍 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-30V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA 10mA-100mA |
ID(on) | 0-20A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
測試參數 | 測試范圍 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-30V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 與IR參數相同 |
ICBO | 與IR參數相同 |
V(BR)CBO V(BR)CEO | 0.10V-30V |
30V-1499V |
可控硅
測試參數 | 測試范圍 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-30V |
3.3主要技術指標
1、源的指標
壓流源 (VA)
電壓:
設定范圍(V) | 精.確度 |
±(0~10) | ±(12.2mV+0.25%set) |
±(10~30) | ±(24.4mV+0.25%set) |
電流:
測量范圍 | 精.確度 |
±(0-20)uA | ±(48.8nA+0.25% set) |
±(20-200) uA | ±(488nA+0.25% set) |
±(0.2-2) mA | ±(4.88uA+0.25% set) |
±(2-20) mA | ±(48.8uA+0.25% set) |
±(20~200) mA | ±(244uA+0.25%set) |
±(0.2~2)A(脈沖) | ±(2.44mA+0.25%set) |
±(2-20)A(脈沖) | ±(24.4mA+1%set) |
壓流源 (VB)
電壓:
設定范圍(V) | 精.確度 |
±(0~10) | ±(12.2mV+0.25%set) |
±(10~30) | ±(24.4mV+0.25%set) |
電流:
測量范圍 | 精.確度 |
±(0-20)uA | ±(48.8nA+0.25% set) |
±(20-200) uA | ±(488nA+0.25% set) |
±(0.2-2) mA | ±(4.88uA+0.25% set) |
±(2-20) mA | ±(48.8uA+0.25% set) |
±(20~200) mA | ±(244uA+0.25%set) |
高壓源(HV)
設定范圍(V) | 精.確度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V時輸出為1mA。
2、電壓表的指標
測漏電流
測量范圍 | 精.確度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.25% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.25% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.25% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.25% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.25% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.25% Rdg) |
±(20~200) mA | ±(2.44mA+0.25% Rdg) |
±(0.2~2)A(脈沖) | ±(24.4mA+0.25% Rdg) |
±(2-20)A(脈沖) | ±(244mA+1% Rdg) |
測試電壓
設定范圍(V) | 精.確度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.25% Rdg) |
±(10~30) | ±(3mV+0.25% Rdg) |
測擊穿電壓
設定范圍(V) | .精.確度 |
(0~30)V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
(30~1500)V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍數
設定范圍(V) | 精.確度 |
1~9999 | 1% |