離子束刻蝕系統

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一、離子束刻蝕系統產品簡介

離子束刻蝕系統的基本原理是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的作用。把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。

二、離子束刻蝕系統主要技術指標：

1.極限真空：9′10^-5Pa

2.刻蝕均勻性與重復性：3英寸襯底均勻性優于±5% ，重復性優于±5%

3.刻蝕速率:200nm/min

4.基片尺寸：≤4英寸

5.刻蝕氣體：:Ar

三、離子束刻蝕系統主要用途主要用于金屬材料的刻蝕