深圳市瑞泰威科技有限公司主營：各類驅動IC,存儲IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
驅動ic的工作原理

驅動IC：LED就是發光二極管，當二極管的數量多或者管子比較耗電量大時就需要驅動了，而且是幾級驅動，抄把這幾級驅動做到一個集成的電子芯片里，這個芯片就叫驅動IC，簡單說就是發揮給二極管提供補償電流的作用。

led驅動ic的工作原理：

芯片內含恒生電路，可透過電阻來設定輸出恒流值。透過芯片的使能端可百以控制輸出通道的開關時間，切度換頻率達一兆赫(1MHz)。電流輸出反應極快，支持高色階變化及高畫面刷新率的應用。內建開路偵測, 過熱斷電，及過電流保護功能，使應用系統的可靠性大為提升。

驅動方法：

· 利用知電流值的調節方法

· 利用脈沖幅變調技術的調節方法

電流值的調節方法主要是改變電流值調節的亮度，此處假設 時的光度為1倍，白光的光度與電流變化時的光度變成1.7倍，此時的光度變成3倍，雖然照度與電流值并不是比例關系，道不過紅光卻呈比例關系，主要原因是紅、綠、藍的晶片物性彼此相異所致。

MOSFET幾種典型驅動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設計工程師的，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比芯片與數位芯片被整合至同一個芯片內。MOSFET原本在數位集成電路上就有很大的競爭優勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產品。

IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。