晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。
半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：
根據構造分類：
⒈點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。
⒉鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接金或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
⒊合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
⒋擴散型二極管
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。
⒌臺面型二極管
PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。
⒍平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
⒎合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。
⒏外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。

電容器是儲存電量和電能（電勢能）的元件。一個導體被另一個導體所包圍，或者由一個導體發出的電場線全部終止在另一個導體的導體系，稱為電容器。
兩個相互靠近的導體，中間夾一層不導電的絕緣介質，就構成了電容器。當電容器的兩個極板之間加上電壓時，電容器就會儲存電荷。電容器的電容量在數值上等于一個導電極板上的電荷量與兩個極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。
電容器在調諧、旁路、耦合、濾波等電路中起著重要的作用。晶體管收音機、CD唱機、錄音機的調諧電路要用到它，彩色電視機的耦合電路、旁路電路等也要用到它。
隨著電子信息技術的日新月異，數碼電子產品的更新換代速度越來越快，以平板電視（LCD和PDP）、筆記本電腦、數碼相機等產品為主的消費類電子產品產銷量持續增長，帶動了電容器產業增長。
電容器的主要參數有：
(1)標稱電容量，為標志在電容器上的電容量。但電容器實際電容量與標稱電容量是有偏差的，精度等級與允許誤差有對應關系。一般電容器常用I、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、V、Ⅵ級表示容量精度，根據用途選取。電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時所呈現的阻抗，隨著工作頻率、溫度、電壓以及測量方法的變化，容值會隨之變化。電容量的單位為F（法）。

電阻是描述導體導電性能的物理量，用R表示。電阻由導體兩端的電壓U與通過導體的電流I的比值來定義，即R=U/I。所以，當導體兩端的電壓一定時，電阻愈大，通過的電流就愈小; 反之，電阻愈小，通過的電流就愈大。因此，電阻的大小可以用來衡量導體對電流阻礙作用的強弱，即導電性能的好壞。電阻的量值與導體的材料、形狀、體積以及周圍環境等因素有關。
不同導體的電阻按其性質的不同還可分為兩種類型。一類稱為線性電阻或歐姆電阻，滿足歐姆定律; 另一類稱為非線性電阻，不滿足歐姆定律。電阻的倒數1/R稱為電導，也是描述導體導電性能的物理量，用G表示。電阻的單位在國際單位制中是歐姆(Ω)，簡稱歐。而電導的國際單位制(SI)單位是西門子(S)，簡稱西。
正常金屬有電阻，是因為載流子會受到散射而改變動量。散射的中心就是聲子，缺陷，雜質原子等。在超導情況下，組成庫伯對的電子不斷地相互散射，但這種散射不影響庫伯對質心動量，所以有電流通過超導體時庫伯對的定向移動不受阻礙，沒有電阻。
電阻雖然定義為：1伏電壓產生一安電流則為1歐電阻；但電壓、電流并不是決定電阻的因素。
電阻元件的電阻值大小一般與溫度有關，還與導體長度、橫截面積、材料有關。多數（金屬）的電阻隨溫度的升高而升高，一些半導體卻相反。如：玻璃，碳在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是電阻率，l為材料的長度，單位為m，s為面積，單位為平方米。可以看出，材料的電阻大小正比于材料的長度，而反比于其面積。
各種金屬導體中，銀的導電性能是的，但還是有電阻存在。20世紀初，科學家發現，某些物質在很低的溫度時，如鋁在1.39K（-271.76℃）以下，鉛在7.20K（-265.95℃）以下，電阻就變成了零。這就是超導現象，用具有這種性能的材料可以做成超導材料。已經開發出一些“高溫”超導材料，它們在100K（-173℃）左右電阻就能降為零。
如果把超導現象應用于實際，會給人類帶來很大的好處。在電廠發電、運輸電力、儲存電力等方面若能采用超導材料，就可以大大降低由于電阻引起的電能消耗。如果用超導材料制造電子元件，由于沒有電阻，不必考慮散熱的問題，元件尺寸可以大大的縮小，進一步實現電子設備的微型化。
因此，電阻對于整個電路的流暢來說是至關重要的，如果電阻損壞或使用了不合格有瑕疵的電阻器件，很有可能會對電路和安全帶來極大的影響。廣州源豐，專業的電阻類電子元件銷毀公司，有獨立的粉碎設備，專門針對損壞電阻，不合格電阻及瑕疵電阻做銷毀處理。

電子產品是以電能為工作基礎的相關產品，主要包括：手表、智能手機、電話、電視機、影碟機（VCD、 SVCD、DVD）、錄像機、攝錄機、收音機、收錄機、組合音箱、激光唱機（CD）、電腦、游戲機、移動通信產品等。因早期產品主要以電子管為基礎原件故名電子產品。
電子技術是歐洲美國等西方國家在十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，早由美國人莫爾斯1837年發明電報開始，1875年美國人亞歷山大貝爾發明電話，1902年英國物理學家弗萊明發明電子管。電子產品在二十世紀發展迅速，應用廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。
代電子產品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路，從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。
由于，電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。