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電光調制器的基本原理

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電光調制器的基礎是電光效應。根據電光晶體的折射率變化量和外加電場強度的關系，電光效應可分為線性電光效應(泡克耳斯效應)和二次電光效應(克爾效應)。因為線性電光效應比二次電光效應的作用效果明顯，因此實際中多用線性電光調制器對光波進行調制。線性電光調制器可分為縱向的和橫向的。在縱向的調制器中，電場平行于光的傳播方向，而橫向調制器的電場則垂直于光傳播的方向。

電光調制器

電光調制器作為光纖鏈路里必不可少的器件，其性能的優略嚴重影響著系統信號的發射和接收。目前市場上使用普遍的主要是電光調制器EOM和電吸收調制器EAM。電光調制器，特點：插入損耗小、消光比高，調制深度和帶寬大。

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電光調制器系列

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850nm電光強度調制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調制器采用先進的質子交換工藝，具有低插入損耗、高調制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統、銫原子時間基準、脈沖發生器、量子光學等領域。

1064nm雙M-Z串聯強度調制器     

LiNbO3強度調制器具有良好的電光效應，廣泛應用于高速光通信系統、激光傳感和ROF系統中。基于MZ推拉結構和X切設計的KG-AM系列具有穩定的理化性能，可應用于實驗室實驗和工業系統。

高消光比電光強度調制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調制器基于M-Z推挽結構，具有較低的半波電壓和穩定的物理化學特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應速率，因而被廣泛的應用于光脈沖發生器、激光雷達、光纖傳感等領域。